RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 40

Rund um 35% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.5 12.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.7 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1678 2462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns