Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 40

En 35% menor latencia

Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.5 12.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.7 7.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1678 2462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns