Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

総合得点

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 40

周辺 35% 低遅延

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.5 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.7 7.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

26 40
読み出し速度、GB/s

12.3 17.5
書き込み速度、GB/秒

7.4 9.7
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1678 2462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

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Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

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Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

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