RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link