Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Средняя оценка

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 60

Около -150% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 5.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 24
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 17.0
Скорость записи, Гб/сек

5.4 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1411 3151

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

модули RAM