RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
28
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link