RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3500
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link