RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
58
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,340.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
58
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
2,717.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
1,340.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
5300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
506
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link