RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link