RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
62
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
54
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
10.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8000CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link