RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
62
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
54
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link