RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link