RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2918
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link