RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
50
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2918
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link