RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3189
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link