RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3139
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link