RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
67
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
67
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link