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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
67
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
1895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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