RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3292
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link