RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link