RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link