RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
99
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
99
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
1499
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link