Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 33

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.7 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 20.7
Скорость записи, Гб/сек

7.3 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 4048

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM