SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Средняя оценка

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 40

Около 8% меньшая задержка

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.7 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 40
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 13.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2065 2411

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

модули RAM

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

модули RAM