RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 101
    Около 72% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.4 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 101
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 6.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 1382

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
модули RAM