RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
101
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
101
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link