RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
45
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3626
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link