RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
3023
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link