RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3305
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link