RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology C 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology C 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link