RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link