RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link