RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link