RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
71
Около -255% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3619
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link