RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
71
Wokół strony -255% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3619
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link