RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
73
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
73
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
1843
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link