Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Unterschiede

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    56 left arrow 73
    Rund um 23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 1,813.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    56 left arrow 73
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,387.7 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,813.5 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    693 left arrow 1843
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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