RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3698
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link