Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Средняя оценка

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 36

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 11.9

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 33
Скорость чтения, Гб/сек

15.3 16.2
Скорость записи, Гб/сек

11.9 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2981 3116

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM