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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
33
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.9
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2981
3116
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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