RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
51
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link