RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link