RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.4
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link