RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
22.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link