RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link