RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link