RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link