RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3722
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link