RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link