RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2850
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link