RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
66
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1877
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link